Pressemeldinger
Denne teksten er en oversettelse av den offisielle engelske versjonen av pressemeldingen, og den er kun ment som et referanseverktøy. Du finner detaljene og spesifikasjonene i den originale engelske versjonen. Dersom tekstene ikke stemmer overens, er det den originale engelske versjonen som gjelder.
FOR UMIDDELBAR UTGIVELSE nr. 3759
HVIGBT-modul i S1-serien
TOKYO, 23. desember 2024 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) kunngjorde i dag at de vil begynne å sende prøver av to nye bipolare høyspenttransistorer med isolert port (HVIGBT) i S1-serien, begge klassifisert ved 1,7 kV, for stort industrielt utstyr som jernbanevogner og DC-strømsendere, fra 26. desember. Takket være patenterte IGBT-enheter (bipolare transistorer med isolert port) og isolasjonsstrukturer gir de nye modulene utmerket pålitelighet, lavt effekttap og lav termisk motstand, noe som forventes å øke påliteligheten og effektiviteten til vekselrettere i stort industriutstyr.
Mitsubishi Electrics 1,7 kV HVIGBT-moduler ble først lansert i 1997 og er høyt ansett for sin utmerkede ytelse og høye pålitelighet, og de har i stor grad blitt tatt i bruk for vekselrettere i strømsystemer.
De nye modulene i S1-serien omfatter Mitsubishi Electrics patenterte RFC-diode (Relaxed Field of Cathode), som øker RRSOA (Reverse Recovery Safe Operating Area) med 2,2 ganger sammenlignet med tidligere modeller*, for forbedret pålitelighet for vekselrettere. I tillegg bidrar bruken av et IGBT-element med en CSTBT**-struktur (Carrier Stored Trench Gate Bipolar Transistor) til å redusere både effekttap og termisk motstand for mer effektive vekselrettere. Mitsubishi Electrics patenterte isolasjonsstruktur øker også motstanden for isolasjonsspenning til 6,0 kVrms, som er 1,5 ganger så mye som i tidligere produkter*. Dette gir mer fleksible isolasjonsutforminger som er kompatible med en rekke typer vekselrettere.
Merk at pressemeldingene er riktige på publiseringstidspunktet, men de kan endres uten varsel.