Pressemeldinger
Denne teksten er en oversettelse av den offisielle engelske versjonen av pressemeldingen, og den er kun ment som et referanseverktøy. Du finner detaljene og spesifikasjonene i den originale engelske versjonen. Dersom tekstene ikke stemmer overens, er det den originale engelske versjonen som gjelder.
FOR UMIDDELBAR UTGIVELSE nr. 3707
GaN-PAM på 16 W for massiv MIMO-basestasjoner for 5G (MGFS52G38MB)
TOKYO, 4. juni 2024 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) kunngjorde i dag at de vil begynne å sende ut prøver av en ny effektforsterkermodul (PAM – Power Amplifier Module) på 16 W i gjennomsnitt av galliumnitrid (GaN) for massiv MIMO1 (mMIMO)-basestasjoner for 5G den 11. juni. PAM-er, som kan brukes i 32T32R mMIMO-antenner2 for å redusere produksjonskostnadene og strømforbruket til mMIMO-basestasjoner for 5G, forventes å bli tatt mer og mer i bruk etter hvert som 5G-nettverk utvides fra bysentre til regionale områder. Mitsubishi Electric vil stille ut sin nye GaN-PAM på 16 W i USA ved IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS) 2024 i Washington, DC, fra 18.–20. juni.
I september 2023 begynte Mitsubishi Electric å levere prøver av en GaN-PAM som oppnår en gjennomsnittlig utgangseffekt på 8 W (39 dBm) over et bredt frekvensområde fra 3,4 til 3,8 GHz, egnet for 64T64R mMIMO-antenner på3 5G-basestasjoner. GaN-PAM-en på 16 W (42 dBm) som ble kunngjort i dag, oppnår enda høyere gjennomsnittlig utgangseffekt over et bredt frekvensområde fra 3,3 til 3,8 GHz og er egnet for 32T32R mMIMO-antenner, noe som utvider kommunikasjonsrekkevidden til mMIMO-basestasjoner for 5G og senker produksjonskostnaden ved å redusere det nødvendige antallet PAM-er.
Merk at pressemeldingene er riktige på publiseringstidspunktet, men de kan endres uten varsel.