Denne teksten er en oversettelse av den offisielle engelske versjonen av pressemeldingen, og den er kun ment som et referanseverktøy. Du finner detaljene og spesifikasjonene i den originale engelske versjonen. Dersom tekstene ikke stemmer overens, er det den originale engelske versjonen som gjelder.

FOR UMIDDELBAR UTGIVELSE nr. 3608

Fig. 1 Nyutviklet brikkestruktur (topp: brikkedel, bunn: parallellkoblede brikker)

TOKYO, 1. juni 2023 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) kunngjorde i dag at de har utviklet en ny struktur for en felteffekttransistor i silisiumkarbid med metalloksidhalvledere (SIC-MOSFET) med en Schottky-barrierediode (SBD) innebygd¹, som selskapet har brukt i en 3,3 kV full SIC-effektmodul, FMF 800 DC -66 BEW² for stort industrielt utstyr innen jernbanedrift og likestrømsystemer. Prøveeksemplar begynte å sendes ut 31. mai. Brikkens nye struktur forventes å bidra til å redusere størrelsen på fremdriftssystemer for tog osv., i tillegg til å gjøre dem mer energieffektive og bidra til karbonnøytralitet gjennom økt bruk av likestrømoverføring.
SiC effekthalvledere tiltrekker seg oppmerksomhet med sin kapasitet for å redusere effekttap betydelig. Mitsubishi Electric, som kommersialiserte SIC-strømmoduler utstyrt med SIC-MOSFET-er og SIC-SBD-er i 2010, har tatt i bruk SIC-strømhalvledere i en rekke vekselrettersystemer, inkludert klimaanlegg og jernbaner.
Brikken som er integrert med en SiC-MOSFET og en SiC-SBD, kan monteres på en modul mer kompakt sammenlignet med den konvensjonelle metoden for å bruke separate brikker, noe som gjør det mulig med mindre moduler, større kapasitet og lavere brytertap. Det forventes å bli mye brukt i stort industrielt utstyr innen jernbanedrift og strømsystemer. Frem til nå har den praktiske bruken av strømmoduler med SBD-innebygde SIC-MOSFET-er vært vanskelig på grunn av den relativt lave strømstøtkapasiteten, ³ som fører til termisk ødeleggelse av brikkene under støtstrømhendelser⁴, fordi støtstrøm i tilkoblede kretser bare konsentrerer seg i spesifikke brikker.

Mitsubishi Electric har nå utviklet verdens første⁵ mekanisme, der støtstrøm konsentreres i en bestemt brikke i en parallellkoblet brikkestruktur inne i en strømmodul, og en ny brikkestruktur der alle brikkene mottar strøm samtidig, slik at støtstrømmen fordeles på alle brikkene. Som et resultat av dette er effektmodulens støtstrømkapasitet forbedret med en faktor på fem eller mer sammenlignet med selskapets eksisterende teknologi, noe som er lik eller større enn med konvensjonelle SI-strømmoduler og dermed muliggjør bruken av en SBD-innebygd SIC-MOSFET i en strømmodul.

Detaljer om utviklingen ble kunngjort kl. 14.00 den 31. mai (lokal tid) under ISPSD⁶ 2023, som ble avholdt i Hongkong fra 28. mai til 1. juni.

1. 1Diode som dannes ved sammenkoblingen mellom en halvleder og et metall ved hjelp av en Schottky-barriere
2. 2Mitsubishi Electric skal sende ut prøveeksemplarer av de SBD-innebygde SiC-MOSFET-modulene
3. 3Strømgrense som en strømmodul tåler under en støtstrømhendelse
4. 4Unormal drift der en strøm som overstiger den nominelle strømmen, går et øyeblikk fra kretsen til en strømmodul
5. 5I henhold til Mitsubishi Electrics forskning, oppdatert tirsdag 01. juni 2023
6. 6Det 35. internasjonale symposium om strømhalvlederenheter og integrerte kretser

• PDF-versjon (PDF : 685KB)

Forespørsel

Mediekontakt

• Public Relations Division Mitsubishi Electric Corporation

Kundeforespørsler

• Advanced Technology R&D Center Mitsubishi Electric Corporation