Denne teksten er en oversettelse av den offisielle engelske versjonen av pressemeldingen, og den er kun ment som et referanseverktøy. Du finner detaljene og spesifikasjonene i den originale engelske versjonen. Dersom tekstene ikke stemmer overens, er det den originale engelske versjonen som gjelder.

FOR UMIDDELBAR UTGIVELSE nr. 3597

3,3 kV SBD-innebygd SiC-MOSFET-modul

TOKYO, 08. mai 2023 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) kunngjorde i dag at de skal begynne å sende prøver av en ny SBD-innebygd (Schottky-diode) silisiumkarbid-felteffekttransistor med metalloksidhalvleder (SiC-MOSFET-modul) med dual-type 3,3 kV holdespenning og 6,0 kVrms dielektrisk styrke den 31. mai. Den nye modulen forventes å støtte overlegen kraft, effektivitet og pålitelighet i vekselrettersystemer for stort industrielt utstyr som jernbaner og elektriske strømsystemer. Den vil bli stilt ut på store messer, inkludert Power Conversion Intelligent Motion (PCIM) Europe 2023 i Nürnberg i Tyskland fra 9. til 11. mai.

Mitsubishi Electric har allerede lansert fire moduler i full SiC og to 3,3 kV dual-type LV100-moduler med høy spenning. For å bidra ytterligere til mye kraft, effektivitet og pålitelighet i vekselrettere for stort industrielt utstyr vil selskapet snart begynne å levere prøver av den nye modulen, som reduserer vekslingstapet som en SiC-MOSFET med en innebygd SBD og en optimalisert pakkestruktur.

• PDF-versjon (PDF : 338KB)

Forespørsel

Mediekontakt

• Public Relations Division Mitsubishi Electric Corporation