Pressemeldinger
Denne teksten er en oversettelse av den offisielle engelske versjonen av pressemeldingen, og den er kun ment som et referanseverktøy. Du finner detaljene og spesifikasjonene i den originale engelske versjonen. Dersom tekstene ikke stemmer overens, er det den originale engelske versjonen som gjelder.
FOR ØYEBLIKKELIG KUNNGJØRING nr. 3567
GaN-HEMT-er for SATCOM-bakkestasjoner med lavt Ku-bånd
70 W MGFK48G2732 (venstre) for enkelt bærebølge og 70 W MGFK48G2732A (høyre) for flere bærebølger
TOKYO, 22. desember 2022 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) kunngjorde i dag at to nye galliumnitridtransistorer med høy elektronmobilitet (GaN-HEMT-er) på 70 W (48,3 dBm) og 12,75–13,25 GHz (lavt Ku-bånd) vil bli lagt til i selskapets GaN-HEMT-serie for satellittkommunikasjonsbakkestasjoner (SATCOM). De to nye GaN HEMT-produktene, én for kommunikasjon med flere bærebølger1 og den andre for kommunikasjon med enkelt bærebølge2, støtter økt dataoverføringskapasitet og mindre bakkestasjoner selv i det lave Ku-båndet. De to produktene lanseres 15. januar 2023.
Satellittkommunikasjonssystemer for Ku-bånd tas i bruk i økende grad for nødkommunikasjon under naturkatastrofer og for SNG (Satellite News Gathering) av TV-kringkastere i distriktsområder der det ikke finnes fiber- og/eller kabelnettverk. For SATCOM-jordstasjoner bruker dagens hovedsystemer et 14 GHz bånd, men i nær fremtid forventes de å bruke det lave Ku-båndet (13 GHz) i tillegg til Ka-båndet (28 GHz) for å dekke behovet for økt dataoverføringskapasitet. Til nå har Mitsubishi Electric introdusert en serie på syv GaN-HEMT-er for SATCOM-bakkestasjoner med flere bærebølger og enkelt bærebølge. De to nye GaN-HEMT-ene på 70 W som nå lanseres, støtter også nødkommunikasjon og SNG i det lave Ku-båndet.
Merk at pressemeldingene er riktige på publiseringstidspunktet, men de kan endres uten varsel.