Pressemeldinger

Mitsubishi Electric lanserer fireterminalers 1200 V SiC-MOSFET-er i N-serienBidrar til å redusere strømforbruk og fysisk størrelse på strømforsyningssystemer

Denne teksten er en oversettelse av den offisielle engelske versjonen av pressemeldingen, og den er kun ment som et praktisk referanseverktøy. Du finner detaljene og spesifikasjonene i den originale engelske versjonen. Dersom tekstene ikke stemmer overens, er det den originale engelske versjonen som gjelder.

FOR UMIDDELBAR UTGIVELSE nr. 3382

TOKYO, 5. november 2020 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) kunngjorde i dag den kommende lanseringen av en ny serie med silisiumkarbid-felteffekttransistorer med metalloksidhalvleder (MOSFET-er), N-serien med 1200 V SiC-MOSFET-er i en TO-247-4-pakke,¹ som oppnår 30 % mindre vekslingstap sammenlignet med de eksisterende TO-247-3-pakkeproduktene². Den nye serien vil bidra til å redusere strømforbruket og den fysiske størrelsen på strømforsyningssystemer som krever høyspenningskonvertering, for eksempel innebygde ladere for elbiler (EV-er) og fotoelektriske energisystemer. Forsendelser av prøver starter i november.

1Skiller driverkildeterminalen fra strømkildeterminalen, i motsetning til konvensjonelle trepinners pakker
2 Mitsubishi Electrics pressemelding 16. juni 2020: https://www.MitsubishiElectric.com/news/2020/0616.html

1200 V SiC-MOSFET i N-serien i TO-247-4-pakke

Produktegenskaper

1)Firepinners pakke bidrar til å redusere strømforbruket og den fysiske størrelsen på strømforsyningssystemer
- SIC-MOSFET-brikke med godt kvalitetstall (FOM – Figure Of Merit³) på 1 450 mΩ-nC og høy selvaktiveringstoleranse er montert på TO-247-4-pakke, som er utstyrt med uavhengige driverkildeterminaler samt konvensjonell trepinners pakke.
- Bruker firepinners pakke for å redusere parasittisk induktans, et problem ved høyhastighetsveksling. Eliminering av port-kilde-spenningstap på grunn av strømvariasjoner bidrar til å redusere vekslingstap med ca. 30 % sammenlignet med TO-247-3-produkter.
- Bruk av en høyere bærefrekvens⁴ for å drive de nye strømhalvlederne bidrar til å redusere vekslingsstrømtap, noe som gjør det mulig med mindre og enklere kjølesystemer samt mindre reaktorer og andre eksterne komponenter, og bidrar dermed til å redusere strømforbruket og den fysiske størrelsen på strømforsyningssystemer totalt sett.
1. 3 Ytelsesindeks for strøm-MOSFET-er, beregnet ved å multiplisere på-motstanden med gate-drain-ladingen (100 °C grenseskikttemperatur). Mindre verdier indikerer bedre ytelse.
2. 4Frekvens som bestemmer AV/PÅ-tidspunkt for vekslingselementet i vekselretterkretsen
2)Seks modeller for ulike bruksområder, inkludert AEC-Q101-kompatible modeller
- Ny serie inkluderer modeller som er kompatible med Automotive Electronics Councils AEC-Q101-standard for ikke bare industribruk, f.eks. fotoelektriske systemer, men også EV-bruksområder.
- Krypeavstand (korteste avstand over overflate mellom to ledende deler) mellom drainterminalen og kildeterminalen gjort bredere enn i TO-247-3-pakkeprodukter for mer fleksibel bruk, inkludert i utendørs installasjoner der støv og skitt enkelt samler seg.