Pressemeldinger

Mitsubishi Electric lanserer andregenerasjons strømmoduler i full SiC for industribruk

Vil bidra til mer effektivt, mindre og lettere kraftelektronikkutstyr

Denne teksten er en oversettelse av den offisielle engelske versjonen av pressemeldingen, og den er kun ment som et praktisk referanseverktøy. Du finner detaljene og spesifikasjonene i den originale engelske versjonen. Dersom tekstene ikke stemmer overens, er det den originale engelske versjonen som gjelder.

FOR UMIDDELBAR UTGIVELSE nr. 3372

TOKYO, 15. september 2020 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) kunngjorde i dag den kommende lanseringen av andregenerasjons strømmoduler i full SiC med en nyutviklet SiC-brikke for industribruk. De lave strømtapsegenskapene og driften med høy bærefrekvens¹ i SiC-MOSFET-brikkene (felteffekttransistorer med metalloksidhalvledere) og SIC-SBD-brikkene (Schottky-dioder) i modulene forventes å lette utviklingen av mer effektivt, mindre og lettere strømutstyr på ulike industrifelter. Salget starter i januar 2021.

1Frekvens som bestemmer AV/PÅ-tidspunkt for vekslingselementet i en vekselretterkrets

1200 V / 600 A, 800 A 2-i-1 1700 V / 300 A 2-i-1, vibrator Innebygd RTC-krets
1200 V / 300 A, 400 A 4-i-1 Innebygd RTC-krets
1200 V / 1200 A, 1200 A 2-i-1 Innebygd RTC-krets
1200 V / 400 A 4-i-1 1200 V / 800 A 2-i-1

Produktegenskaper

1)Vil legge til rette for mer energieffektivt, mindre og lettere industriutstyr
- JFET (Junction Field Effect Transistor)-dopingteknologi² reduserer på-motstanden med ca. 15 % sammenlignet med konvensjonelle SIC-produkter³.
- Reduksjon av speilkapasitans⁴ gjør det mulig med rask veksling og reduserer vekslingstap.
- Innebygd SiC-MOSFET og SiC-SBD bidrar til å redusere effekttapet med ca. 70 % sammenlignet med Mitsubishi Electrics konvensjonelle Si-IGBT-moduler.
- Reduksjon av strømtap og drift med høy bærefrekvens vil legge til rette for utvikling av mindre og lettere eksterne komponenter, for eksempel reaktorer og kjølere.
1. 2Øker enhetstettheten ved å øke urenhetstettheten i JFET-området
2. 3Mitsubishi Electrics førstegenerasjons SiC-moduler (med samme klassifisering) for industribruk
3. 44 Lekkasjekapasitans mellom gate og drain som eksisterer i MOSFET-struktur (Crss)som påvirker vekslingstiden
2)RTC-krets (kontroll i sanntid) balanserer kortslutningsytelse og lav motstand
- Sikker kortslutningsytelse og lave på-motstandsegenskaper oppnådd med RTC-krets5 for å blokkere overdreven strøm under kortslutninger.
- Blokkerer overdreven strøm fra en ekstern vernekrets på en trygg måte under kortslutning ved å overvåke kortslutningsregistreringssignalet.
1. 5Unntatt modellene FMF400BX-24B og FMF800DX-24B
3)Optimalisert internt brikkeoppsett for forbedret varmeavledning
- Desentralisert og optimalisert plassering av SiC-MOSFET- og SiC-SBD-brikker inni modulene bidrar til å forbedre varmeavledning, og gjør det dermed mulig å bruke mindre, eller vifteløse, kjølere.