Denne teksten er en oversettelse av den offisielle engelske versjonen av pressemeldingen, og den er kun ment som et praktisk referanseverktøy. Du finner detaljene og spesifikasjonene i den originale engelske versjonen. Dersom tekstene ikke stemmer overens, er det den originale engelske versjonen som gjelder.

FOR UMIDDELBAR UTGIVELSE nr. 3363

TOKYO, 14. juli 2020 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) kunngjorde i dag at de har utviklet en ny teknologi for å lage en effektforsterkermodul med galliumnitrid (GaN) for 5G-basestasjoner som kombinerer kompakt størrelse (6 mm x 10 mm) og ekstra høy strømeffektivitet¹, der sistnevnte oversteg en enestående grad på 43 %². Modulen, som bruker et minimum antall chip-komponenter i den matchende kretsen for å kontrollere høy kvalitet på utgangssignalet, forventes å bidra til å realisere 5G-basestasjoner som kan plasseres på mange steder, og som er svært strømeffektive. Tekniske detaljer om den nye modulen vil bli presentert på IEEE International Microwave Symposium i august.

1. 1I henhold til Mitsubishi Electrics forskning, oppdatert tirsdag 14. juli 2020
2. 2Ved bruk av 5 G-frekvensområdet på 3,4–3,8 GHz

Viktige funksjoner

1. 1)Teknologi for montering med høy tetthet for å lage kompakt (6 mm x 10 mm) effektforsterkermodul for 5 G-basestasjoner som kan plasseres på flere steder
   • I 4G-basestasjoner, som ikke bruker mMIMO-antenner (massive Multiple-Input and Multiple-Output), bruker effektforsterkere overføringsledninger av metallfolie for den matchende kretsen. Selv om dette reduserer effekttapet, noe som fører til høyeffektiv drift, krever overføringsledningen mye plass og gjør det vanskelig å realisere basestasjoner som er både ekstra små og ekstra strømeffektive. Mitsubishi Electrics nye teknologi eliminerer behovet for overføringsledninger i 5G-effektforsterkere.
   • Den nye forsterkermodulens matchende krets er integrert med overflatemonteringsenheter (SMD-er), for eksempel kondensatorer og induktorer. Ved å innføre en svært nøyaktig analysemetode for elektromagnetiske felter og bruk av unik teknologi for den tette plasseringen av SMD-er kunne Mitsubishi Electric krympe forsterkeren til bare én niendedel av størrelsen til konvensjonelle forsterkere.³
   1. 3Mitsubishi Electrics 4G-effektforsterkere som ble lansert 12. januar 2017
2. 2)Verdens høyeste strømeffektivitet reduserer 5G-basestasjonens strømforbruk
   • Høyeffektive GaN-transistorer bidrar til å øke effektiviteten til effektforsterkeren.
   • Bruk av SMD-er for den matchende kretsen kan redusere størrelsen på forsterkeren, men det kan også redusere strømeffektiviteten fordi SMD-er har høyt effekttap. Mitsubishi Electrics nye teknologi lager imidlertid en matchende krets ved hjelp av et lite antall SMD-er. I tillegg har SMD-ene de samme elektriske egenskapene som overføringsledningene av metallfolie. Den resulterende effektforsterkermodulen oppnår en verdensledende effektivitetsgrad på mer enn 43 % i båndene på 3,4–3,8 GHz som brukes til 5G-kommunikasjon.

• PDF-versjon (PDF : 294KB)

Forespørsel

Mediekontakt

• Public Relations Division Mitsubishi Electric Corporation

Kundeforespørsler

• Information Technology R&D Center Mitsubishi Electric Corporation