Pressemeldinger

Mitsubishi Electric lanserer 1200 V SiC-MOSFET i N-serienLavt strømforbruk og miniatyrisering av strømforsyningssystemer, for eksempel innebygde ladere for elbiler og fotoelektriske energisystemer

Denne teksten er en oversettelse av den offisielle engelske versjonen av pressemeldingen, og den er kun ment som et praktisk referanseverktøy. Du finner detaljene og spesifikasjonene i den originale engelske versjonen. Dersom tekstene ikke stemmer overens, er det den originale engelske versjonen som gjelder.

FOR UMIDDELBAR UTGIVELSE nr. 3361

TOKYO, 16. juni 2020 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) kunngjorde i dag lanseringen av sin 1200 V SIC-MOSFET (silisiumkarbid-felteffekttransistor med metalloksidhalvleder) i N-serien med lavt strømtap og høy toleranse1 for selvaktivering. Den nye serien vil bidra til å redusere strømforbruket og miniatyrisere strømforsyningssystemer som krever høyspenningskonvertering, for eksempel innebygde ladere for elbiler, fotoelektriske energisystemer m.m. Forsendelser av prøver starter i juli.

Mitsubishi Electric vil vise frem sine nye 1200 V SIC-MOSFET i N-serien på store handelsmesser, inkludert PCIM Asia 2020 i Shanghai i Kina fra 16. til 18. november.

  1. 1 inngangskapasitans/speilkapasitans (Ciss/Crss), som beregnet av Mitsubishi Electric

1200 V SiC-MOSFET i N-serien

Produktegenskaper

  1. 1)Redusert strømforbruk og miniatyrisering av strømforsyningssystemer
    • JFET (Junction Field Effect Transistor)-dopingteknologi reduserer både vekslingstap og på-motstand, og oppnår et bransjeledende2 kvalitetstall3) på 1450 mΩ·nC. Strømforbruket i strømforsyningssystemer reduseres med ca. 85 % sammenlignet med vanlige Si-IGBT-er.
    • Ved å redusere speilkapasitansen 4 forbedres selvaktiveringstoleransen 14 ganger sammenlignet med konkurrerende produkter. Dermed kan rask veksling realiseres, noe som bidrar til å redusere vekslingstap.
    • Redusert vekslingsstrømtap gjør det mulig å redusere størrelsen på og forenkle kjølesystemer samt redusere størrelsen på eksterne komponenter, for eksempel reaktor, ved å drive strømhalvlederen med en høyere bærefrekvens5, og dermed bidra til å redusere kostnadene og størrelsen på strømforsyningssystemer totalt sett.
    1. 2per 16. juni 2020 ifølge Mitsubishi Electrics forskning
    2. 3 Ytelsesindeks for strøm-MOSFET, beregnet ved å multiplisere på-motstanden med gate-drain-ladingen (100 °C grenseskikttemperatur). Mindre verdier indikerer bedre ytelse
    3. 4Lekkasjekapasitans på tvers av Gate og Drain som finnes i MOSFET-struktur (Crss)
    4. 5Frekvens som bestemmer AV/PÅ-tidspunkt for vekslingselementet i en vekselretterkrets
  2. 2)Seks modeller for ulike bruksområder, inkludert AEC-Q101-kompatible modeller
    • Produktutvalget inkluderer modeller som er kvalifisert med Automotive Electronics Councils AEC-Q101-standarder. Derfor kan SiC-MOSFET-en i N-serien ikke bare brukes på industrielle bruksområder som fotoelektriske systemer, den kan også brukes i innebygde ladere for elbiler.

Salgsplan

Produkt Standarder Modell VDS RDS(on)_typ. IDmax ved 25 °C Pakke Prøve
tilgjengelig
SiC-MOSFET AEC-Q101 BM080N120SJ 1200 V 80 mΩ 38 A TO-247-3 Juli 2020
BM040N120SJ 40 mΩ 68 A
BM022N120SJ 22 mΩ 102 A
– BM080N120S 80 mΩ 38 A
BM040N120S 40 mΩ 68 A
BM022N120S 22 mΩ 102 A

Merk

Merk at pressemeldingene er riktige på publiseringstidspunktet, men de kan endres uten varsel.

Forespørsel

Mediekontakt

Kundeforespørsler