Denne teksten er en oversettelse av den offisielle engelske versjonen av pressemeldingen, og den er kun ment som et praktisk referanseverktøy. Du finner detaljene og spesifikasjonene i den originale engelske versjonen. Dersom tekstene ikke stemmer overens, er det den originale engelske versjonen som gjelder.

FOR UMIDDELBAR UTGIVELSE nr. 3323

TOKYO, 12. desember 2019 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) kunngjorde i dag at deres utvalg av galliumnitridtransistorer med høy elektronmobilitet (GaN-HEMT-er) for bakkestasjoner for satellittkommunikasjon (SATCOM) vil bli utvidet med GaN-HEMT-er på 70 og 100 W med Ku-bånd egnet for bruksområder med flere bærebølger. GaN-HEMT-modellen på 70 W oppnår lav IMD3* med en bred forskyvningsfrekvens^** på opptil 400 MHz, noe som antas å være bransjens høyeste nivå, mens GaN HEMT-modellen på 100 W kombinerer uovertruffen effekt med lav IMD3 og en forskyvningsfrekvens på opptil 200 MHz. Mitsubishi Electric vil begynne å sende ut prøver på begge modellene 15. januar.

1. *Mål av en forsterkers forvrengningsytelse i tilfelle totonesignaler
2. **Frekvensforskjell mellom totonesignaler, brukt i IMD3-målinger

GaN HEMT-er for SATCOM-bakkestasjoner med Ku-bånd
Venstre: MGFK50G3745A (100 W) Høyre: MGFK48G3745A (70 W)

Kravene for satellittkommunikasjon og SNG (Satellite News Gathering) med Ku-bånd øker raskt for å støtte kommunikasjon under naturkatastrofer og i landlige områder der installasjon av kabelnettverksutstyr er vanskelig. I tillegg har kommunikasjon med stadig større kapasitet og høy hastighet utvidet behovet for satellittkommunikasjon med både enkelt bærebølge og flere bærebølger. Mitsubishi Electrics nye GaN HEMT-er forventes å akselerere virkeliggjøringen av mindre bakkestasjoner samt raskere kommunikasjon med større kapasitet for ulike behov.

Salgsplan

Produktegenskaper

1. 1)Bransjeledende bred forskyvningsfrekvens på opptil 400 MHz for satellittkommunikasjon med høy kapasitet
   • MGFK48G3745A-modellen bruker en ny matchende krets til å levere en bransjeledende bred forskyvningfrekvens, som er 80 ganger høyere enn den til dagens modeller, og lav IMD3 med en bred forskyvningsfrekvens på opptil 400 MHz, for satellittkommunikasjon med stor kapasitet og høy hastighet, inkludert for flere bærebølger.
2. 2)Uovertruffen effekt på opptil 100 W vil bidra til reduksjon i størrelse på SATCOM-bakkestasjoner
   • MGFK50G3745A-modellen bruker optimaliserte transistormatchende kretser for å levere 100 W topputgangseffekt og lav IMD3 for å bidra til å redusere størrelsen på SATCOM-bakkestasjoner ved å redusere integrerte komponenter.

• PDF-versjon (PDF : 169KB)

Forespørsel

Mediekontakt

• Public Relations Division Mitsubishi Electric Corporation

Kundeforespørsler

• Nettstedet til Semiconductor & Device Marketing Div.B Mitsubishi Electric Corporation GaN High Frequency Devices