Denne teksten er en oversettelse av den offisielle engelske versjonen av pressemeldingen, og den er kun ment som et praktisk referanseverktøy. Du finner detaljene og spesifikasjonene i den originale engelske versjonen. Dersom tekstene ikke stemmer overens, er det den originale engelske versjonen som gjelder.

FOR UMIDDELBAR UTGIVELSE nr. 3307

TOKYO, 30. september 2019 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) kunngjorde i dag at de har utviklet en silisiumkarbid (SiC)-felteffekttransistor med metalloksidhalvledere (MOSFET) av nottypen¹ med en unik struktur som begrenser elektriske felt, for en strømhalvlederenhet som oppnår en verdensledende² spesifikk på-motstand på 1,84 mΩ (milliohm cm² og en gjennomslagsspenning på over 1500 V. Montering av transistoren i strømhalvledermoduler for elektronisk strømutstyr vil føre til energibesparelser og reduksjon i størrelse på utstyr. Etter å ha forbedret ytelsen og bekreftet den langsiktige påliteligheten til de nye strømhalvlederenhetene forventer Mitsubishi Electric å ta i bruk den nye SiC-MOSFET-en av nottypen en eller annen gang etter regnskapsåret som begynner i 2021.
Mitsubishi Electric kunngjorde sin nye SiC-MOSFET av nottypen i dag på International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2019, som arrangeres i Kyoto International Conference Centre i Japan fra 29. september til 4. oktober.

1. *1portelektrode innebygd i et halvledersubstrat forsynt med not, som brukes til å styre strøm ved å påføre spenning
2. *2i henhold til Mitsubishi Electrics forskning, oppdatert 10. september 2019, for enheter med en gjennomslagsspenning på over 1500 V

Fig. Tverrsnitt av konvensjonell planar SiC-MOSFET (venstre) og SiC-MOSFET med not (høyre)

Viktige funksjoner

1. 1)Unik struktur som begrenser elektrisk felt, sikrer enhetens pålitelighet
   SiC-MOSFET-er styrer strømmen som går gjennom halvlederlaget mellom drain- og kildeelektroden ved å påføre en spenning på portelektroden. For å oppnå styring med en lav spenning er en tynn, portisolerende film nødvendig. Hvis høy spenning påføres en strømhalvlederenhet av nottypen, kan et sterkt elektrisk felt konsentreres i porten og enkelt ødelegge isoleringsfilmen.
   For å bøte på dette utviklet Mitsubishi Electric en unik struktur som begrenser elektriske felt og beskytter den portisolerende filmen ved å innplante aluminium og nitrogen for å endre de elektriske egenskapene til halvlederlaget, noe som benytter notstrukturen.
   Først innplantes aluminium vertikalt og et lag som begrenser elektriske felt, dannes på bunnoverflaten av noten. Det elektriske feltet som påføres den portisolerende filmen, reduseres til nivået for en konvensjonell planar strømhalvlederenhet. Dermed forbedres påliteligheten samtidig som gjennomslagsspenningen på over 1500 V opprettholdes.
   Deretter dannes sidejordingen som kobler sammen laget som begrenser det elektriske feltet, og kildeelektroden ved hjelp av en nyutviklet teknikk for å innplante aluminium på skrått for å aktivere høyhastighets veksling og redusert vekslingstap.
2. 2)Lokalt dannede impregnerte lag med høy urenhet oppnår verdens laveste på-motstandsnivå
   SiC-MOSFET-en av nottypen har transistorceller som er mindre enn de av planare typer, slik at flere celler kan plasseres på én enkelt brikke. Hvis transistorintervaller mellom portelektrodene imidlertid er for smale, blir strømflyt vanskelig, og enhetens resistivitet øker. Mitsubishi Electric utviklet en ny metode for å innplante nitrogen på skrått for å danne et SiC-lag lokalt med en høy konsentrasjon av nitrogen, noe som gjør at elektrisitet kan ledes enkelt i strømbanen. Som et resultat kan resistiviteten reduseres med ca. 25 % i forhold til tilfellet med ikke noe høykonsentrasjonslag, selv når cellene er tett plassert.
   Den nye produksjonsmetoden gjør også at intervaller av sidejordingen kan optimaliseres. Resultatet er en spesifikk på-motstand på 1,84 mΩ (milliohm) cm² ved romtemperatur, omtrent halvparten av den til planare typer, samtidig som en gjennomslagsspenning på over 1500 V opprettholdes.

• PDF-versjon (PDF : 502KB)

Forespørsel

Mediekontakt

• Public Relations Division Mitsubishi Electric Corporation

Kundeforespørsler

• Advanced Technology R&D Center Mitsubishi Electric Corporation