Denne teksten er en oversettelse av den offisielle engelske versjonen av pressemeldingen, og den er kun ment som et praktisk referanseverktøy. Du finner detaljene og spesifikasjonene i den originale engelske versjonen. Dersom tekstene ikke stemmer overens, er det den originale engelske versjonen som gjelder.

FOR UMIDDELBAR UTGIVELSE nr. 3298

TOKYO, 2. september 2019 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) kunngjorde i dag at selskapet har samarbeidet med Research Center for Ubiquitous MEMS and Micro Engineering, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) om å utvikle en galliumnitridtransistor med høy elektronmobilitet (GaN-HEMT) i en flercellet struktur (flere transistorceller koblet parallelt) bundet direkte til et varmeavledende underlag bestående av en enkelt diamantkrystall med høy termisk konduktivitet. Den direkte bindingen av en flercellet GaN-HEMT til en enkelt diamantkrystall med høy termisk konduktivitet antas å være verdens første i sitt slag.^* Den nye GaN-HEMT-enheten på diamant forbedrer PAE (power-added efficiency) til forsterkere med høy effekt i basestasjoner for mobilkommunikasjon og satellittkommunikasjonssystemer, som dermed bidrar til å redusere strømforbruket. Mitsubishi Electric vil videreutvikle GaN-HEMT-enheten på diamant før den planlagte lanseringen på markedet i 2025.

1. * i henhold til Mitsubishi Electrics forskning, oppdatert 2. september 2019

Dette forskningsresultatet ble først kunngjort under International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) som blir avholdt ved Nagoya University i Japan fra 2. til 5. september.

Mitsubishi Electric stod for design, produksjon, evaluering og analyse av GaN-HEMT-enheten på diamant, og AIST utviklet teknologien for direktebinding. Dette ble oppnådd delvis basert på resultater fra et prosjekt bestilt av New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO).

Viktige funksjoner

1. 1)Verdens første GaN-HEMT med flercellestruktur direkte bundet til diamantunderlag
   De fleste eksisterende GaN-HEMT-enheter som bruker et diamantunderlag for varmeavledning, lages ved hjelp av en GaN-epitaksiallagfilm der silikonunderlaget er fjernet og diamant avsettes ved høy temperatur. HEMT-enhetene fremstilles deretter på diamantunderlaget til den flate GaN-platen. Ettersom de termiske utvidelseskoeffisientene til GaN og diamant er forskjellige, kan imidlertid platen bøyes mye i produksjonsprosessen, noe som gjør det vanskelig å fremstille store flercellede GaN-HEMT-enheter.
   
   Forskerne fjernet et silikonunderlag fra en flercellet GaN-HEMT som var fremstilt med dette. Den bakre overflaten til GaN-HEMT-enheten ble deretter pusset for å gjøre den tynnere og flatere og så bundet direkte til et diamantunderlag ved hjelp av et nanoadhesjonslag. En flercellestruktur ble brukt til å parallellinnrette åtte transistorceller av en type om finnes i faktiske produkter. Til slutt ble en flercellet GaN-HEMT på diamant – verdens første i sitt slag – fremstilt ved hjelp av et underlag med høy varmeavledning bestående av en enkelt diamantkrystall.
2. 2)Forbedret ytelse og energieffektivitet for utvidet radiobølgeområde og energisparing sammenlignet med en opprinnelig GaN-HEMT med samme struktur på et silikonunderlag
   Bruk av en enkelt diamantkrystall (termisk konduktivitet på 1900 W/mK) med bedre varmeavledning demper temperaturdegraderingen og reduserer temperaturstigningen til GaN-HEMT fra 211,1 til 35,7 °C. Dette forbedrer ytelsen per gatebredde fra 2,8 til 3,1 W/mm samtidig som energieffektiviteten heves fra 55,6 til 65,2 prosent, noe som gir betydelig energibesparelse.

• PDF-versjon (PDF : 142KB)

Forespørsel

Mediekontakt

• Public Relations Division Mitsubishi Electric Corporation

Kundeforespørsler

• Advanced Technology R&D Center Mitsubishi Electric Corporation