Denne teksten er en oversettelse av den offisielle engelske versjonen av pressemeldingen, og den er kun ment som et praktisk referanseverktøy. Du finner detaljene og spesifikasjonene i den originale engelske versjonen. Dersom tekstene ikke stemmer overens, er det den originale engelske versjonen som gjelder.

FOR UMIDDELBAR UTGIVELSE nr. 3272

TOKYO, 27. mars 2019 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) kunngjorde i dag lanseringen av en ny Schottky-diode av silisiumkarbid (SiC-SBD – Silicon-Carbide Schottky Barrier Diode) på 1200 V som reduserer strømtap og fysisk størrelse på strømforsyningssystemer for infrastruktur, fotoelektriske energisystemer m.m. Forsendelser av prøver vil starte i juni 2019, og salget vil starte i januar 2020.

Diodene vil bli utstilt på store messer, inkludert MOTORTECH JAPAN 2019 under TECHNO-FROTIER 2019 i utstillingskomplekset Makuhari Messe i Chiba i Japan fra 17. til 19. april, PCIM Europe 2019 i Nürnberg i Tyskland fra 7. til 9. Mai og PCIM Asia 2019 i Shanghai i Kina fra 26. til 28. juni.

• 

  1200V SiC-SBD TO-247-pakke

• 

  1200V SiC-SBD TO-247-2-pakke

Produktegenskaper

1. 1) Silisiumkarbid bidrar til å redusere strømtap og pakkestørrelse
   • Forbedret energikonvertering gir ca. 21 % mindre effekttap sammenlignet med silisiumprodukter (Si).
   • Gjør det mulig med veksling i høy hastighet og reduksjon i størrelse på eksterne komponenter, som f.eks. reaktorer.


2. 2) Forbedret pålitelighet takket være JBS-struktur (Junction Barrier Schottky)
   • Kombinerer Schottky-barriere med p-n-kobling
   • JBS-struktur bidrar til å oppnå høy pålitelighet


3. 3) Utvidet serie for forskjellige bruksområder
   • TO-247-2 pakken, med den økte isolasjonsklaringsavstanden, slår følge med den eksisterende TO-247-pakken slik at de dekker en rekke bruksområder, inkludert konsumvarer.
   • Samsvarer med Automotive Electronics Councils AEC-Q101-spesifikasjon for bruk i kjøretøy (kun BD20120SJ)

Salgsplan