FOR UMIDDELBAR UTGIVELSE nr. 3164
Denne teksten er en oversettelse av den offisielle engelske versjonen av pressemeldingen, og den er kun ment som et praktisk referanseverktøy. Du finner detaljene og spesifikasjonene i den originale engelske versjonen. Dersom tekstene ikke stemmer overens, er det den originale engelske versjonen som gjelder.
Vil føre til mindre, mer effektivt strømutstyr for jernbanevogner og elektriske strømsystemer
TOKYO, 31. januar 2018 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) kunngjorde i dag at de har utviklet en 6,5 kV strømhalvledermodul i hel silisiumkarbid (SiC) som antas å tilby verdens høyeste strømtetthet (beregnet fra nominell spenning og strøm) blant strømhalvledermoduler med nominell spenning fra 1,7 kV til 6,5 kV. Den enestående strømtettheten er mulig på grunn av modellens originale struktur med integrert felteffekttransistor med metalloksidhalvledere (MOSFET) og diode på én enkelt brikke og den nyutviklede pakken. Mitsubishi Electric forventer at modulen fører til mindre og mer energieffektivt utstyr for jernbanevogner og elektriske strømsystemer med høy spenning. Fremover vil selskapet fortsette med å videreutvikle teknologien og gjennomføre ytterligere pålitelighetstester.
Strømtetthet | Strømtap | Antatt driftsfrekvens | |
---|---|---|---|
Modul i hel-SiC | 1,8* | 1/3 | 4 |
IGBT-modul i vanlig silisium | 1** | 1 | 1 |
Merk: Verdier normalisert til tilsvarende verdier av Mitsubishi Electrics konvensjonelle IGBT-modul i silisium
*Tilsvarer 9,3 kVA/cm3
**Tilsvarer 5,1 kVA/cm3
Merk at pressemeldingene er riktige på publiseringstidspunktet, men de kan endres uten varsel.