FOR UMIDDELBAR UTGIVELSE nr. 3164

Denne teksten er en oversettelse av den offisielle engelske versjonen av pressemeldingen, og den er kun ment som et praktisk referanseverktøy. Du finner detaljene og spesifikasjonene i den originale engelske versjonen. Dersom tekstene ikke stemmer overens, er det den originale engelske versjonen som gjelder.

Mitsubishi Electrics nye 6,5 kV strømhalvledermodul i hel SiC oppnår verdens høyeste strømtetthet

Vil føre til mindre, mer effektivt strømutstyr for jernbanevogner og elektriske strømsystemer

PDF-versjon (PDF:123.3KB)

TOKYO, 31. januar 2018Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) kunngjorde i dag at de har utviklet en 6,5 kV strømhalvledermodul i hel silisiumkarbid (SiC) som antas å tilby verdens høyeste strømtetthet (beregnet fra nominell spenning og strøm) blant strømhalvledermoduler med nominell spenning fra 1,7 kV til 6,5 kV. Den enestående strømtettheten er mulig på grunn av modellens originale struktur med integrert felteffekttransistor med metalloksidhalvledere (MOSFET) og diode på én enkelt brikke og den nyutviklede pakken. Mitsubishi Electric forventer at modulen fører til mindre og mer energieffektivt utstyr for jernbanevogner og elektriske strømsystemer med høy spenning. Fremover vil selskapet fortsette med å videreutvikle teknologien og gjennomføre ytterligere pålitelighetstester.

Prototypen på 6,5 kV Full-SiC strømhalvledermodul

Funksjoner

1)
Høyeste nominelle spenning i moduler i hel SiC skal føre til mindre og mer effektivt kraftelektronikkutstyr
– 6,5 kV nominell spenning er høyest blant silisiumisolerte IGBT-strømhalvledermoduler (Insulated-Gate Bipolar Transistor)
– Hel-SiC-teknologi forbedrer strømtettheten og -effektiviteten og gir høyere driftsfrekvenser for mindre og mer energieffektivt kraftelektronikkutstyr med høy spenning
2)
Original struktur med én brikke og ny pakke for høy varmeavledning og høy temperaturtoleranse
– Brikkeområdet er drastisk redusert ved å integrere MOSFET og diode på én enkelt brikke
– Isolerende substrat med overlegne termiske egenskaper og pålitelig brikkebindingsteknologi forenkler varmespredning og varmetoleranse
– Strømtettheten på 9,3 kVA/cm3 er verdens høyeste blant strømhalvledermoduler rangert fra 1,7 kV til 6,5 kV

Strømhalvledermodul i full SiC vs. IGBT-modul i vanlig silisium

  Strømtetthet Strømtap Antatt driftsfrekvens
Modul i hel-SiC 1,8* 1/3 4
IGBT-modul i vanlig silisium 1** 1 1

Merk: Verdier normalisert til tilsvarende verdier av Mitsubishi Electrics konvensjonelle IGBT-modul i silisium
*Tilsvarer 9,3 kVA/cm3
**Tilsvarer 5,1 kVA/cm3

Merk at pressemeldingene er riktige på publiseringstidspunktet, men de kan endres uten varsel.